12BH7Aの三定数(rp,gm,μ)

投稿日 2010/09/22

12BH7Aの三定数を計測してみました。

 

真空管の三定数(rp:内部抵抗、gm:相互コンダクタンス、μ: 増幅率)は、真空管のハンドブックなどに参考値が記載されています。

 

今回参考にしたのは、「ナショナル真空管ハンドブック」(誠文堂新光社)です。

 

これによると12BH7Aの三定数の参考値は以下のようになっています。

12BH7A_三定数参考値.jpg

ナショナル真空管ハンドブック(誠文堂新光社)より

 

Ep 250V Eg -10.5V Ip 11.5mAにおいて

 

rp 内部抵抗:        5300Ω
gm 相互コンダクタンス: 3100μモー
μ 増幅率:         16.5

 

これらを実測してみようという試みです。(中古の12BH7Aです)

 

まず各定数の算出方法ですが、

 

rp = ⊿Ep/⊿Ip 二つのEp間のIpの変化
gm = ⊿Ip/⊿Eg 二つのEg間のIpの変化
μ = ⊿Ep/⊿Eg Egを変化させたときに、Ipが変わらないためのEpの差

 

ですので、Ep-Ip特性から算出可能です。
ただし⊿をなるべく小さくしなければなりませんが、電源の精度に限度があるので、今回は、
Ep プレート電圧を2Vステップ
Eg コントロールグリッド電圧を1Vステップとしています。

 

また、Ep, Egは参考値の測定条件の周囲のみ。今回はEpが200Vから300V、Egが-9V から-11Vの範囲に限定して計測しています。


 

なお、12BH7AはTriode(三極)が2ユニット組み込まれてますので、各ユニットについて計測しました。
 

12BH7A_UNIT1_三定数.jpg

12BH7A UNIT1

 

ユニット1の三定数
rp: 6494Ω
gm: 2410μモー
μ: 15

 

上記のrp, gmは、Ep-IP特性データを計測し、その結果からエクセルで自動計算しています。
ただし、μについてはEp 250V Eg -10VのときのIpに近いEg -9VのEpとの差から計算しています。
Egの差が1Vなので、Epの差がそのままμとなります。

 

各EpのIpは、Pp プレート損失近辺までとしています。

 

⊿が大きいので精度はそれほど見込めません。

12BH7A_UNIT2_三定数.jpg

12BH7A UNIT2

 

ユニット2の三定数
rp: 11111Ω
gm: 1230μモー
μ: 15

 

ユニット2のEp-IP特性グラフは、明らかに寝ています。これはrp 内部抵抗が高い(参考値のほぼ倍の11111Ω)ことを示します。

 

ユニット1はEp 250V Eg -10Vのとき、Ipが10.77mAですので、参考値の11.5mAに近い値になっていますが、ユニット2は6.7mAしか流れていません。

 

よって、この12BH7Aのユニット2は不良ということになります。


 

12BH7A関連の参考記事:

 

TINA 7による解析と、実際の観測(12BH7A)




 

12BH7A A 56
Ep-Ip

 

(JF1VRR)